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单MOSFET晶体管 / IMBG40R015M2HXTMA1
- 价格 起订量
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- 型号： IMBG40R015M2HXTMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-7
- 描述： SiC MOSFETs Y
- 库存地点： 内地
- 库存： 900
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-263-7
- RoHS：符合RoHS标准
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Transistor Polarity：N-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：400 V
- Id - Continuous Drain Current：111 A
- Rds On - Drain-Source Resistance：21.7 mOhms
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 10 V, 25 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：4.5 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Maximum Operating Temperature：+ 175 C
- Pd - Power Dissipation：341 W
- Channel Mode：Enhancement
- Fall Time：9 ns
- Moisture Sensitive：有
- Factory Pack Quantity：1000
- Typical Turn-Off Delay Time：26.5 ns
- Typical Turn-On Delay Time：13.9 ns
- Part # Aliases：IMBG40R015M2H SP006064660
- 包装：Reel
- 类型：G2 MOSFET
- 配置：Single
- 通道数量：1 Channel
- 上升时间：15.7 ns
- 产品：SiC MOSFETS
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