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单片IGBT晶体管 / DGW25N120CTL
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： DGW25N120CTL
- 厂商： Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装：
- 描述： Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247,
- 库存地点： 内地
- 库存： 1000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：NO
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Rohs Code：有
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：YANGZHOU YANGJIE ELECTRONICS CO LTD
- Number of Elements：1
- Operating Temperature-Max：175 °C
- Operating Temperature-Min：-40 °C
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Turn-off Time-Nom (toff)：414 ns
- Turn-on Time-Nom (ton)：190 ns
- ECCN 代码：EAR99
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- Reach合规守则：compliant
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- JEDEC-95代码：TO-247
- 最大耗散功率(Abs)：326 W
- 集电极电流-最大值(IC)：50 A
- 集电极-发射器电压-最大值：1200 V
- 栅极-发射极电压-最大值：30 V
- VCEsat-最大值：2.35 V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：6.4 V
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