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单片IGBT晶体管 / APT20GF120BRDQ1
- 价格 起订量
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- 型号： APT20GF120BRDQ1
- 厂商： Advanced Power Technology
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装：
- 描述： Insulated Gate Bipolar Transistor, 36A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 PIN
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：NO
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Rohs Code：无
- Part Life Cycle Code：Transferred
- Ihs Manufacturer：ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Number of Elements：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Turn-off Time-Nom (toff)：255 ns
- Turn-on Time-Nom (ton)：19 ns
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：unknown
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 箱体转运：COLLECTOR
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- JEDEC-95代码：TO-247
- 集电极电流-最大值(IC)：36 A
- 集电极-发射器电压-最大值：1200 V
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