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存储器 / M5M4V17805DJ-6
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
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- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: M5M4V17805DJ-6
- 厂商: Mitsubishi Electric
- 类别: 存储器
- 封装: -
- 描述: EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28
- 库存地点: 内地
- 库存: 暂无库存
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装:YES
- 终端数量:28
- Rohs Code:无
- Part Life Cycle Code:Obsolete
- Ihs Manufacturer:MITSUBISHI ELECTRIC CORP
- Package Description:SOJ, SOJ28,.44
- Access Time-Max:60 ns
- Number of Words:2097152 words
- Number of Words Code:2000000
- Operating Temperature-Max:70 °C
- Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
- Package Code:SOJ
- Package Equivalence Code:SOJ28,.44
- Package Shape:RECTANGULAR
- Package Style:小概要
- Supply Voltage-Nom (Vsup):3.3 V
- JESD-609代码:e0
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Tin/Lead (Sn/Pb)
- HTS代码:8542.32.00.02
- 端子位置:DUAL
- 终端形式:J BEND
- 端子间距:1.27 mm
- Reach合规守则:unknown
- JESD-30代码:R-PDSO-J28
- 资历状况:不合格
- 温度等级:COMMERCIAL
- 电源电流-最大值:0.12 mA
- 组织结构:2MX8
- 输出特性:3-STATE
- 内存宽度:8
- 待机电流-最大值:0.0005 A
- 记忆密度:16777216 bit
- I/O类型:COMMON
- 内存IC类型:EDO DRAM
- 刷新周期:2048
- 自我刷新:NO
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