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单MOSFET晶体管 / GAN190-650EBEZ
- 价格 起订量
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- 型号： GAN190-650EBEZ
- 厂商： Nexperia USA Inc.
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-VDFN Exposed Pad
- 描述： 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
- 库存地点： 内地
- 库存： 6000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：Surface Mount, Wettable Flank
- 包装/外壳：8-VDFN Exposed Pad
- 供应商器件包装：DFN8080-8
- 厂商：Nexperia USA Inc.
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11.5A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V
- Power Dissipation (Max)：125W (Tc)
- Base Product Number：GAN190
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 零件状态：活跃
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：190mOhm @ 3.9A, 6V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 12.2mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：96 pF @ 400 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：2.8 nC @ 6 V
- 漏源电压 (Vdss)：650 V
- Vgs（最大值）：+7V, -1.4V
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