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单相BJT晶体管 / BSP61
- 价格 起订量
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- ￥ 0 1000+
- 型号： BSP61
- 厂商： SIEMENS(德国西门子)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装：
- 描述： Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：4
- 晶体管元件材料：SILICON
- Rohs Code：无
- Part Life Cycle Code：Transferred
- Ihs Manufacturer：西门子 A G
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
- Number of Elements：1
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：小概要
- Transition Frequency-Nom (fT)：200 MHz
- Turn-off Time-Max (toff)：1500 ns
- Turn-on Time-Max (ton)：400 ns
- JESD-609代码：e0
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
- HTS代码：8541.29.00.75
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- Reach合规守则：unknown
- JESD-30代码：R-PDSO-G4
- 资历状况：不合格
- 配置：DARLINGTON
- 箱体转运：COLLECTOR
- 极性/通道类型：PNP
- 最大耗散功率(Abs)：1.5 W
- 集电极电流-最大值(IC)：1 A
- 最小直流增益（hFE）：2000
- 集电极-发射器电压-最大值：60 V
- VCEsat-最大值：1.8 V
- 环境耗散-最大值：1.5 W
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