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内存模块 / NAND02GR3B2DZA6E
- 价格 起订量
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- 型号： NAND02GR3B2DZA6E
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 内存模块
- 封装： -
- 描述： IC,EEPROM,NAND FLASH,256MX8,CMOS,BGA,63PIN,PLASTIC
- 库存地点： 内地
- 库存： 13
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：63
- Type of connector：pin strips
- Connector：socket
- Kind of connector：female
- Spatial orientation：straight
- Contacts pitch：2.54mm
- Electrical mounting：THT
- Connector pinout layout：2x27
- Row pitch：2.54mm
- Rohs Code：有
- Part Life Cycle Code：Transferred
- Ihs Manufacturer：STMICROELECTRONICS
- Package Description：FBGA, BGA63,10X12,32
- Access Time-Max：20 ns
- Number of Words：268435456 words
- Number of Words Code：256000000
- Operating Temperature-Max：85 °C
- Operating Temperature-Min：-40 °C
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Code：FBGA
- Package Equivalence Code：BGA63,10X12,32
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：GRID ARRAY, FINE PITCH
- Supply Voltage-Nom (Vsup)：1.8 V
- ECCN 代码：EAR99
- HTS代码：8542.32.00.51
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：BALL
- 端子间距：0.8 mm
- Reach合规守则：unknown
- JESD-30代码：R-PBGA-B63
- 资历状况：不合格
- 温度等级：INDUSTRIAL
- 电源电流-最大值：0.02 mA
- 组织结构：256MX8
- 内存宽度：8
- 待机电流-最大值：0.00005 A
- 记忆密度：2147483648 bit
- 并行/串行：PARALLEL
- 内存IC类型：FLASH
- 数据轮询：NO
- 拨动位：NO
- 命令用户界面：YES
- 扇区/尺寸数：2K
- 行业规模：128K
- 页面尺寸：2K words
- 准备就绪/忙碌：YES
- 个人资料：bronze
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