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专用晶体管 / SSM3J56MFV
- 价格 起订量
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- 型号： SSM3J56MFV
- 厂商： Toshiba America Electronic Components
- 类别： 专用晶体管
- 封装：
- 描述： TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal
- 库存地点： 内地
- 库存： 200
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- Contact plating：gold-plated
- Number of pins：4
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- 外壳材料：1
- Rohs Code：有
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：TOSHIBA CORP
- Drain Current-Max (ID)：0.8 A
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：小概要
- Type of connector：pin strips
- Connector：socket
- Kind of connector：female
- Spatial orientation：straight
- Contacts pitch：2.54mm
- Electrical mounting：THT
- Connector pinout layout：2x2
- Row pitch：2.54mm
- Gross weight：0.18 g
- Operating temperature：-40...163°C
- ECCN 代码：EAR99
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：unknown
- Current rating：1.5A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PDSO-F3
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：P-CHANNEL
- 漏极-源极导通最大电阻：0.39 Ω
- DS 击穿电压-最小值：20 V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：0.5 W
- Rated voltage：60V
- 反馈上限-最大值 (Crss)：10 pF
- 个人资料：beryllium copper
- Plating thickness：0.254µm
- Flammability rating：UL94V-0
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