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BJT 晶体管阵列 / 2N5795
- 价格 起订量
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- 型号： 2N5795
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： TO-78-6 Metal Can
- 描述： Bipolar Transistors - BJT BJTs
- 库存地点： 内地
- 库存： 11
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
- 触点镀层：Lead, Tin
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-78-6 Metal Can
- 表面安装：NO
- 供应商器件包装：TO-78-6
- 终端数量：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Manufacturer：Microchip
- Brand：微芯片技术
- RoHS：N
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：600mA
- Base Product Number：2N5795
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- Package Style：CYLINDRICAL
- Package Body Material：METAL
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：200 °C
- Rohs Code：无
- Transition Frequency-Nom (fT)：200 MHz
- Manufacturer Part Number：2N5795
- Turn-on Time-Max (ton)：50 ns
- Package Shape：ROUND
- Number of Elements：2
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Turn-off Time-Max (toff)：140 ns
- Risk Rank：5.23
- 包装：Bulk
- 操作温度：-65°C ~ 175°C (TJ)
- 系列：-
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：无
- ECCN 代码：EAR99
- 温度系数：600.0000 ppm/°C
- 电阻：10 mOhm
- 端子表面处理：锡铅
- 最高工作温度：175 °C
- 最小工作温度：-65 °C
- 子类别：Transistors
- 额定功率：2.0000 W
- 最大功率耗散：600 mW
- 技术：Si
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：WIRE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：unknown
- JESD-30代码：O-MBCY-W8
- 资历状况：不合格
- 配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
- 功率 - 最大：600mW
- 极性/通道类型：PNP
- 产品类别：BJTs - Bipolar Transistors
- 晶体管类型：2 PNP (Dual)
- 集电极发射器电压(VCEO)：60 V
- 最大集电极电流：600 mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：40 @ 150mA, 10V
- 最大集极截止电流：10µA (ICBO)
- JEDEC-95代码：TO-78
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1.6V @ 50mA, 500mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：60V
- 频率转换：-
- 集电极基极电压(VCBO)：60 V
- 电阻公差：1
- 集电极电流-最大值(IC)：0.6 A
- 最小直流增益（hFE）：40
- 集电极-发射器电压-最大值：60 V
- 产品类别：Bipolar Transistors - BJT
- 产品长度：6.35
- 产品宽度：3.15
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