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单相BJT晶体管 / 2N3583
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: 2N3583
- 厂商: MICROCHIP(美国微芯)
- 类别: 单相BJT晶体管
- 封装: TO-213AA, TO-66-2
- 描述: TRANS NPN 175V 0.01A TO66
- 库存地点: 内地
- 库存: 20
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:Production (Last Updated: 2 months ago)
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-213AA, TO-66-2
- 底架:通孔
- 表面安装:NO
- 引脚数:3
- 供应商器件包装:TO-66 (TO-213AA)
- 终端数量:2
- 晶体管元件材料:SILICON
- Package:Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max):10 mA
- 厂商:微芯片技术
- Product Status:活跃
- Schedule B:8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080
- RoHS:Compliant
- Package Style:FLANGE MOUNT
- Package Body Material:METAL
- Reflow Temperature-Max (s):未说明
- Operating Temperature-Max:200 °C
- Rohs Code:无
- Transition Frequency-Nom (fT):10 MHz
- Manufacturer Part Number:2N3583
- Package Shape:ROUND
- Manufacturer:Microsemi Corporation
- Number of Elements:1
- Part Life Cycle Code:活跃
- Ihs Manufacturer:MICROSEMI CORP
- Risk Rank:5.14
- Part Package Code:TO-66
- 操作温度:-65°C ~ 200°C (TJ)
- 系列:-
- 包装:Bulk
- JESD-609代码:e0
- 无铅代码:无
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Tin/Lead (Sn/Pb)
- 最高工作温度:200 °C
- 最小工作温度:-65 °C
- 附加功能:HIGH RELIABILITY
- HTS代码:8541.29.00.95
- 子类别:其他晶体管
- 最大功率耗散:35 W
- 端子位置:BOTTOM
- 终端形式:PIN/PEG
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- Reach合规守则:not_compliant
- 引脚数量:2
- JESD-30代码:O-MBFM-P2
- 资历状况:不合格
- 配置:SINGLE
- 功率 - 最大:35 W
- 晶体管应用:SWITCHING
- 极性/通道类型:NPN
- 晶体管类型:NPN
- 集电极发射器电压(VCEO):175 V
- 最大集电极电流:1 A
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:40 @ 500mA, 10V
- 最大集极截止电流:10mA
- JEDEC-95代码:TO-66
- 电压 - 集射极击穿(最大值):175 V
- 频率转换:-
- 集电极基极电压(VCBO):250 V
- 最大耗散功率(Abs):35 W
- 集电极电流-最大值(IC):1 A
- 最小直流增益(hFE):10
- 集电极-发射器电压-最大值:175 V
- 辐射硬化:无
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