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单相BJT晶体管 / 2N2222AUB
- 价格 起订量
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- 型号： 2N2222AUB
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： 3-SMD, No Lead
- 描述： Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3-Pin UB
- 库存地点： 内地
- 库存： 7319
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：3-SMD, No Lead
- 表面安装：YES
- 供应商器件包装：3-SMD
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Transistor Polarity：NPN
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：800 mA
- Base Product Number：2N2222
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- Emitter- Base Voltage VEBO：6 V
- Pd - Power Dissipation：500 mW
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：75 at 1mA, 10 VDC
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1 V
- Unit Weight：0.028612 oz
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Gain Bandwidth Product fT：-
- Manufacturer：Microchip
- Brand：Microchip Technology / Atmel
- Maximum DC Collector Current：800 mA
- DC Current Gain hFE Max：325 at 1 mA, 10 VDC
- RoHS：N
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：50 V
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
- Package Style：小概要
- Package Body Material：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：200 °C
- Rohs Code：无
- Transition Frequency-Nom (fT)：250 MHz
- Manufacturer Part Number：2N2222AUB
- Turn-on Time-Max (ton)：35 ns
- Package Shape：RECTANGULAR
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Transferred
- Samacsys Description：Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. TRANSISTOR
- Ihs Manufacturer：OPTEK TECHNOLOGY INC
- Turn-off Time-Max (toff)：300 ns
- Risk Rank：3.67
- 操作温度：-65°C ~ 200°C (TJ)
- 系列：2N2222
- 包装：Waffle
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：无
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
- HTS代码：8541.21.00.95
- 子类别：Transistors
- 技术：Si
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- JESD-30代码：R-CDSO-N3
- 资历状况：不合格
- 配置：Single
- 功率耗散：500
- 功率 - 最大：500 mW
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：NPN
- 产品类别：BJTs - Bipolar Transistors
- 晶体管类型：NPN
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 150mA, 10V
- 最大集极截止电流：50nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1V @ 50mA, 500mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V
- 频率转换：-
- 集电极基极电压(VCBO)：75 V
- 最大耗散功率(Abs)：0.5 W
- 集电极电流-最大值(IC)：0.8 A
- 最小直流增益（hFE）：100
- 连续集电极电流：800
- 集电极-发射器电压-最大值：50 V
- 产品类别：Bipolar Transistors - BJT
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