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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STE70NM60
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
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- 型号： STE70NM60
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： ISOTOP
- 描述： MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
- 库存地点： 内地
- 库存： 49
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：Chassis Mount, Screw
- 安装类型：底座安装
- 包装/外壳：ISOTOP
- 引脚数：4
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：70A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：600W Tc
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：MDmesh™
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：4
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：55MOhm
- 电压 - 额定直流：600V
- 端子位置：UPPER
- 终端形式：UNSPECIFIED
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 额定电流：70A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：STE70
- 引脚数量：4
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：600W
- 箱体转运：ISOLATED
- 接通延迟时间：55 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：55m Ω @ 30A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：7300pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：266nC @ 10V
- 上升时间：95ns
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：76 ns
- 连续放电电流(ID)：70A
- 阈值电压：4V
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 漏源击穿电压：600V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：280A
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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