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单MOSFET晶体管 / BSC520N15NS3GXT
- 价格 起订量
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- 型号： BSC520N15NS3GXT
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装：
- 描述： Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TDSON EP
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：26 Weeks
- 表面安装：YES
- 终端数量：5
- 晶体管元件材料：SILICON
- Continuous Drain Current Id：21
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
- Package Style：小概要
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Operating Temperature-Min：-55 °C
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：BSC520N15NS3GXT
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Infineon Technologies AG
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：5.74
- Drain Current-Max (ID)：21 A
- ECCN 代码：EAR99
- 类型：Terminator
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- Reach合规守则：compliant
- JESD-30代码：R-PDSO-F5
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 漏极-源极导通最大电阻：0.052 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：84 A
- DS 击穿电压-最小值：150 V
- 信道型：N
- 雪崩能量等级（Eas）：60 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：57 W
- 产品长度：22.5 mm
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