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MOSFETs 晶体管阵列 / LN100LA-G
- 价格 起订量
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- 型号： LN100LA-G
- 厂商： Microchip Technology
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 6-VFLGA
- 描述： MOSFET 1200V Cascoded N-Channel MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-VFLGA
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- 操作温度：-25°C~125°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2014
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：350mW
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：BUTT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 通道数量：2
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 场效应管类型：2 N-Channel (Cascoded)
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- Rds On(Max)@Id,Vgs：3000 Ω @ 2mA, 2.8V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.6V @ 10μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：50pF @ 25V
- 漏源电压 (Vdss)：1200V 1.2kV
- 连续放电电流(ID)：3mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：1.6V
- 漏源击穿电压：600V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：Standard
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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