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存储器 / AS6C8008A-55ZIN
- 价格 起订量
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- 型号: AS6C8008A-55ZIN
- 厂商: Alliance Memory
- 类别: 存储器
- 封装: -
- 描述: SRAM 8M, 2.7-3.6V, 55ns 1024K x 8 Asyn SRAM
- 库存地点: 内地
- 库存: 暂无库存
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装:YES
- 终端数量:44
- Package Description:TSOP2,
- Package Style:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
- Number of Words Code:1000000
- Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
- Operating Temperature-Min:-40 °C
- Reflow Temperature-Max (s):40
- Access Time-Max:55 ns
- Operating Temperature-Max:85 °C
- Rohs Code:有
- Manufacturer Part Number:AS6C8008A-55ZIN
- Number of Words:1048576 words
- Supply Voltage-Nom (Vsup):3 V
- Package Code:TSOP2
- Package Shape:RECTANGULAR
- Manufacturer:Alliance Memory Inc
- Part Life Cycle Code:Obsolete
- Ihs Manufacturer:ALLIANCE MEMORY INC
- Risk Rank:5.77
- Part Package Code:TSOP2
- JESD-609代码:e3/e6
- 无铅代码:有
- 端子表面处理:PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH
- 技术:CMOS
- 端子位置:DUAL
- 终端形式:鸥翼
- 峰值回流焊温度(摄氏度):260
- 功能数量:1
- 端子间距:0.8 mm
- Reach合规守则:compliant
- 引脚数量:44
- JESD-30代码:R-PDSO-G44
- 电源电压-最大值(Vsup):3.6 V
- 温度等级:INDUSTRIAL
- 电源电压-最小值(Vsup):2.7 V
- 操作模式:ASYNCHRONOUS
- 组织结构:1MX8
- 座位高度-最大:1.2 mm
- 内存宽度:8
- 记忆密度:8388608 bit
- 并行/串行:PARALLEL
- 内存IC类型:标准SRAM
- 宽度:10.16 mm
- 长度:18.415 mm
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