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存储器 / IS43DR16640A-3DBLI-TR
- 价格 起订量
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- 型号： IS43DR16640A-3DBLI-TR
- 厂商： ISSI(美国芯成)
- 类别： 存储器
- 封装： -
- 描述： 1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 333Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx13.65mm) RoHS, IT, T&R
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：84
- Package Description：TFBGA, BGA84,9X15,32
- Package Style：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
- Number of Words Code：64000000
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Equivalence Code：BGA84,9X15,32
- Operating Temperature-Min：-40 °C
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Access Time-Max：0.45 ns
- Operating Temperature-Max：85 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：IS43DR16640A-3DBLI-TR
- Clock Frequency-Max (fCLK)：333 MHz
- Number of Words：67108864 words
- Supply Voltage-Nom (Vsup)：1.8 V
- Package Code：TFBGA
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Integrated Silicon Solution Inc
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
- Risk Rank：5.84
- 附加功能：AUTO/SELF REFRESH
- 子类别：DRAMs
- 技术：CMOS
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：BALL
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 功能数量：1
- 端子间距：0.8 mm
- Reach合规守则：compliant
- JESD-30代码：R-PBGA-B84
- 资历状况：不合格
- 电源电压-最大值(Vsup)：1.9 V
- 电源：1.8 V
- 温度等级：INDUSTRIAL
- 电源电压-最小值(Vsup)：1.7 V
- 端口的数量：1
- 操作模式：SYNCHRONOUS
- 电源电流-最大值：0.35 mA
- 组织结构：64MX16
- 输出特性：3-STATE
- 座位高度-最大：1.2 mm
- 内存宽度：16
- 待机电流-最大值：0.015 A
- 记忆密度：1073741824 bit
- I/O类型：COMMON
- 内存IC类型：DDR DRAM
- 刷新周期：8192
- 顺序突发长度：4,8
- 交错突发长度：4,8
- 访问模式：多库页面突发
- 自我刷新：YES
- 宽度：8 mm
- 长度：13.65 mm
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