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存储器 / NAND256W3A0BZA6F
- 价格 起订量
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- 型号： NAND256W3A0BZA6F
- 厂商： Micron Technology
- 类别： 存储器
- 封装： -
- 描述： SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 256Mbit 32M x 8bit 12us 55-Pin VFBGA T/R (Alt: NAND256W3A0BZA6F)
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：55
- Package Description：VFBGA-55
- Package Style：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
- Number of Words Code：32000000
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Equivalence Code：BGA55,8X12,32
- Operating Temperature-Min：-40 °C
- Reflow Temperature-Max (s)：30
- Access Time-Max：35 ns
- Operating Temperature-Max：85 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：NAND256W3A0BZA6F
- Number of Words：33554432 words
- Supply Voltage-Nom (Vsup)：3 V
- Package Code：TFBGA
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Micron Technology Inc
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：MICRON TECHNOLOGY INC
- Risk Rank：5.18
- Part Package Code：BGA
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：有
- ECCN 代码：3A991.B.1.A
- 类型：SLC NAND类型
- 端子表面处理：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- HTS代码：8542.32.00.51
- 子类别：闪存
- 技术：CMOS
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：BALL
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 功能数量：1
- 端子间距：0.8 mm
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：55
- JESD-30代码：R-PBGA-B55
- 资历状况：不合格
- 电源电压-最大值(Vsup)：3.6 V
- 电源：3/3.3 V
- 温度等级：INDUSTRIAL
- 电源电压-最小值(Vsup)：2.7 V
- 操作模式：ASYNCHRONOUS
- 电源电流-最大值：0.02 mA
- 组织结构：32MX8
- 座位高度-最大：1.05 mm
- 内存宽度：8
- 待机电流-最大值：0.00005 A
- 记忆密度：268435456 bit
- 并行/串行：PARALLEL
- 内存IC类型：FLASH
- 编程电压：3 V
- 数据轮询：NO
- 拨动位：NO
- 命令用户界面：YES
- 扇区/尺寸数：2K
- 行业规模：16K
- 页面尺寸：512 words
- 准备就绪/忙碌：YES
- 宽度：8 mm
- 长度：10 mm
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