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Unclassified / NP60N055KUG-E1-AZ

  • 价格 起订量
  • ¥ 0 1+
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  • ¥ 0 500+
  • ¥ 0 1000+
  • 型号: NP60N055KUG-E1-AZ
  • 厂商: RENESAS(瑞萨/IDT)
  • 类别: Unclassified
  • 封装: -
  • 描述: Single MOSFET Single MOSFET Nch
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 暂无库存
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

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  • 银行支付

包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 表面安装:YES
  • 终端数量:2
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • Package Description:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
  • Package Style:小概要
  • Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
  • Reflow Temperature-Max (s):未说明
  • Operating Temperature-Max:175 °C
  • Rohs Code:
  • Manufacturer Part Number:NP60N055KUG-E1-AZ
  • Package Shape:RECTANGULAR
  • Manufacturer:Renesas Electronics Corporation
  • Number of Elements:1
  • Part Life Cycle Code:活跃
  • Ihs Manufacturer:RENESAS ELECTRONICS CORP
  • Risk Rank:5.32
  • Part Package Code:D2PAK
  • Drain Current-Max (ID):60 A
  • JESD-609代码:e6
  • 无铅代码:
  • ECCN 代码:EAR99
  • 端子表面处理:锡铋
  • HTS代码:8541.29.00.95
  • 子类别:FET 通用电源
  • 端子位置:SINGLE
  • 终端形式:鸥翼
  • 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
  • Reach合规守则:compliant
  • 引脚数量:4
  • JESD-30代码:R-PSSO-G2
  • 资历状况:不合格
  • 配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • 操作模式:增强型MOSFET
  • 箱体转运:DRAIN
  • 晶体管应用:SWITCHING
  • 极性/通道类型:N-CHANNEL
  • JEDEC-95代码:TO-263AB
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID):60 A
  • 漏极-源极导通最大电阻:0.0094 Ω
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM):240 A
  • DS 击穿电压-最小值:55 V
  • 场效应管技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • 最大耗散功率(Abs):88 W