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Unclassified / NP60N055KUG-E1-AZ
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: NP60N055KUG-E1-AZ
- 厂商: RENESAS(瑞萨/IDT)
- 类别: Unclassified
- 封装: -
- 描述: Single MOSFET Single MOSFET Nch
- 库存地点: 内地
- 库存: 暂无库存
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装:YES
- 终端数量:2
- 晶体管元件材料:SILICON
- Package Description:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Package Style:小概要
- Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s):未说明
- Operating Temperature-Max:175 °C
- Rohs Code:有
- Manufacturer Part Number:NP60N055KUG-E1-AZ
- Package Shape:RECTANGULAR
- Manufacturer:Renesas Electronics Corporation
- Number of Elements:1
- Part Life Cycle Code:活跃
- Ihs Manufacturer:RENESAS ELECTRONICS CORP
- Risk Rank:5.32
- Part Package Code:D2PAK
- Drain Current-Max (ID):60 A
- JESD-609代码:e6
- 无铅代码:有
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:锡铋
- HTS代码:8541.29.00.95
- 子类别:FET 通用电源
- 端子位置:SINGLE
- 终端形式:鸥翼
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- Reach合规守则:compliant
- 引脚数量:4
- JESD-30代码:R-PSSO-G2
- 资历状况:不合格
- 配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式:增强型MOSFET
- 箱体转运:DRAIN
- 晶体管应用:SWITCHING
- 极性/通道类型:N-CHANNEL
- JEDEC-95代码:TO-263AB
- 最大漏极电流 (Abs) (ID):60 A
- 漏极-源极导通最大电阻:0.0094 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM):240 A
- DS 击穿电压-最小值:55 V
- 场效应管技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs):88 W
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