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单MOSFET晶体管 / NE97833-T1B-A

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  • 型号: NE97833-T1B-A
  • 厂商: NEC(日电电子)
  • 类别: 单MOSFET晶体管
  • 封装: -
  • 描述: RF Bipolar Transistors PNP High Frequency
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 暂无库存
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 表面安装:YES
  • 终端数量:3
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • Package Description:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
  • Package Style:小概要
  • Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
  • Reflow Temperature-Max (s):未说明
  • Operating Temperature-Max:200 °C
  • Rohs Code:
  • Transition Frequency-Nom (fT):5500 MHz
  • Manufacturer Part Number:NE97833-T1B-A
  • Package Shape:RECTANGULAR
  • Manufacturer:Renesas Electronics Corporation
  • Number of Elements:1
  • Part Life Cycle Code:Obsolete
  • Ihs Manufacturer:RENESAS ELECTRONICS CORP
  • Risk Rank:5.82
  • 无铅代码:
  • ECCN 代码:EAR99
  • 附加功能:HIGH RELIABILITY
  • HTS代码:8541.21.00.75
  • 子类别:其他晶体管
  • 端子位置:DUAL
  • 终端形式:鸥翼
  • 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
  • Reach合规守则:compliant
  • 引脚数量:3
  • JESD-30代码:R-PDSO-G3
  • 配置:SINGLE
  • 晶体管应用:SWITCHING
  • 极性/通道类型:PNP
  • 最大耗散功率(Abs):0.2 W
  • 集电极电流-最大值(IC):0.05 A
  • 最小直流增益(hFE):20
  • 集电极-发射器电压-最大值:12 V
  • 最高频段:S带
  • 集电极-基极电容-最大值:1 pF