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单MOSFET晶体管 / NE97833-T1B-A
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: NE97833-T1B-A
- 厂商: NEC(日电电子)
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: -
- 描述: RF Bipolar Transistors PNP High Frequency
- 库存地点: 内地
- 库存: 暂无库存
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装:YES
- 终端数量:3
- 晶体管元件材料:SILICON
- Package Description:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Package Style:小概要
- Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s):未说明
- Operating Temperature-Max:200 °C
- Rohs Code:有
- Transition Frequency-Nom (fT):5500 MHz
- Manufacturer Part Number:NE97833-T1B-A
- Package Shape:RECTANGULAR
- Manufacturer:Renesas Electronics Corporation
- Number of Elements:1
- Part Life Cycle Code:Obsolete
- Ihs Manufacturer:RENESAS ELECTRONICS CORP
- Risk Rank:5.82
- 无铅代码:有
- ECCN 代码:EAR99
- 附加功能:HIGH RELIABILITY
- HTS代码:8541.21.00.75
- 子类别:其他晶体管
- 端子位置:DUAL
- 终端形式:鸥翼
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- Reach合规守则:compliant
- 引脚数量:3
- JESD-30代码:R-PDSO-G3
- 配置:SINGLE
- 晶体管应用:SWITCHING
- 极性/通道类型:PNP
- 最大耗散功率(Abs):0.2 W
- 集电极电流-最大值(IC):0.05 A
- 最小直流增益(hFE):20
- 集电极-发射器电压-最大值:12 V
- 最高频段:S带
- 集电极-基极电容-最大值:1 pF
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