单MOSFET晶体管 / IPP90N06S4-04

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型号： IPP90N06S4-04
厂商： Infineon(英飞凌)
类别：单MOSFET晶体管
封装： TO-220-3
描述： MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS-T2
库存地点：内地
库存： 79999
货期： 1 - 3 个工作日

个

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
包装/外壳：TO-220-3
表面安装：NO
终端数量：3
晶体管元件材料：SILICON
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：4 V
Pd - Power Dissipation：150 W
Transistor Polarity：N-Channel
Maximum Operating Temperature：+ 150 C
Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
Unit Weight：0.068784 oz
Minimum Operating Temperature：- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：500
Mounting Styles：通孔
Channel Mode：Enhancement
Part # Aliases：SP000379634 IPP90N06S404AKSA1
Manufacturer：Infineon
Brand：Infineon Technologies
Qg - Gate Charge：99 nC
Tradename：OptiMOS
Rds On - Drain-Source Resistance：3.7 mOhms
RoHS：Details
Id - Continuous Drain Current：90 A
Package Description：GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
Package Style：FLANGE MOUNT
Moisture Sensitivity Levels：1
Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)：未说明
Operating Temperature-Max：175 °C
Rohs Code：有
Manufacturer Part Number：IPP90N06S4-04
Package Shape：RECTANGULAR
Number of Elements：1
Part Life Cycle Code：Obsolete
Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank：8.62
Part Package Code：TO-220AB
Drain Current-Max (ID)：90 A
系列：OptiMOS-T2
包装：Tube
JESD-609代码：e3
无铅代码：有
ECCN 代码：EAR99
端子表面处理：TIN
子类别：MOSFETs
技术：Si
端子位置：SINGLE
终端形式：THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
Reach合规守则：not_compliant
引脚数量：3
JESD-30代码：R-PSFM-T3
资历状况：不合格
配置：Single
通道数量：1 Channel
操作模式：增强型MOSFET
箱体转运：DRAIN
极性/通道类型：N-CHANNEL
产品类别：MOSFET
晶体管类型：1 N-Channel
JEDEC-95代码：TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)：90 A
漏极-源极导通最大电阻：0.004 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)：360 A
DS 击穿电压-最小值：60 V
雪崩能量等级（Eas）：331 mJ
场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)：150 W
产品类别：MOSFET
宽度：4.4 mm
高度：15.65 mm
长度：10 mm