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单相BJT晶体管 / HF75-28F
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- 型号： HF75-28F
- 厂商： Advanced
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装：
- 描述： Bipolar Transistors - BJT NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- Emitter- Base Voltage VEBO：4 V
- Pd - Power Dissipation：140 W
- Transistor Polarity：NPN
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：10 at 1 A, 5 V
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：10
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Gain Bandwidth Product fT：30 MHz
- Manufacturer：Advanced Semiconductor, Inc.
- Brand：Advanced Semiconductor, Inc.
- DC Current Gain hFE Max：100 at 1 A, 5 V
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：35 V
- 子类别：Transistors
- 技术：Si
- 配置：Single
- 产品类别：BJTs - Bipolar Transistors
- 集电极基极电压(VCBO)：60 V
- 连续集电极电流：10 A
- 产品类别：Bipolar Transistors - BJT
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