简体中文
图片经供参考，以实物为准
存储器 / NAND04GW3B2BN6E
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： NAND04GW3B2BN6E
- 厂商： Micron Technology
- 类别： 存储器
- 封装：
- 描述： NAND Flash Memory 4G
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：48
- Package Description：TSOP1, TSSOP48,.8,20
- Package Style：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
- Number of Words Code：512000000
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Equivalence Code：TSSOP48,.8,20
- Operating Temperature-Min：-40 °C
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Access Time-Max：25 ns
- Operating Temperature-Max：85 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：NAND04GW3B2BN6E
- Number of Words：536870912 words
- Supply Voltage-Nom (Vsup)：3 V
- Package Code：TSOP1
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：STMicroelectronics
- Part Life Cycle Code：Transferred
- Ihs Manufacturer：STMICROELECTRONICS
- Risk Rank：8.32
- Part Package Code：TSOP
- JESD-609代码：e3/e6
- ECCN 代码：3A991.B.1.A
- 端子表面处理：TIN/TIN BISMUTH
- HTS代码：8542.32.00.51
- 子类别：闪存
- 技术：CMOS
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 功能数量：1
- 端子间距：0.5 mm
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：48
- JESD-30代码：R-PDSO-G48
- 资历状况：不合格
- 电源电压-最大值(Vsup)：3.6 V
- 电源：3/3.3 V
- 温度等级：INDUSTRIAL
- 电源电压-最小值(Vsup)：2.7 V
- 操作模式：ASYNCHRONOUS
- 电源电流-最大值：0.03 mA
- 组织结构：512MX8
- 座位高度-最大：1.2 mm
- 内存宽度：8
- 待机电流-最大值：0.00005 A
- 记忆密度：4294967296 bit
- 并行/串行：PARALLEL
- 内存IC类型：FLASH
- 编程电压：3 V
- 数据轮询：NO
- 拨动位：NO
- 命令用户界面：YES
- 扇区/尺寸数：4K
- 行业规模：128K
- 页面尺寸：2K words
- 准备就绪/忙碌：YES
- 宽度：12 mm
- 长度：18.4 mm
相关产品
