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单MOSFET晶体管 / MZ0912B100Y
- 价格 起订量
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- 型号： MZ0912B100Y
- 厂商： NXP(恩智浦)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装：
- 描述： RF Bipolar Transistors 960-1215MHz Gain 7dB NPN
- 库存地点： 内地
- 库存： 4
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：2
- 晶体管元件材料：SILICON
- Ihs Manufacturer：NXP SEMICONDUCTORS
- Manufacturer：恩智浦半导体
- Manufacturer Package Code：SOT443A
- Manufacturer Part Number：MZ0912B100Y
- Number of Elements：1
- Operating Temperature-Max：200 °C
- Package Body Material：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Part Package Code：SOT
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Risk Rank：5.83
- Rohs Code：有
- 无铅代码：有
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：DIFFUSED EMITTER BALLASTING RESISTORS
- 子类别：其他晶体管
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-CDFM-F2
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE
- 箱体转运：BASE
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 极性/通道类型：NPN
- 最大耗散功率(Abs)：290 W
- 集电极电流-最大值(IC)：6 A
- 集电极-发射器电压-最大值：20 V
- 最高频段：L带
- 功率增益-最小值(Gp)：7 dB
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