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单MOSFET晶体管 / PSMN1R8-80SSFJ
- 价格 起订量
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- 型号： PSMN1R8-80SSFJ
- 厂商： Nexperia(安世)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SOT-1235
- 描述： NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
- 库存地点： 内地
- 库存： 1986
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-1235
- 供应商器件包装：LFPAK88 (SOT1235)
- Base Product Number：PSMN1R8
- Channel Mode：Enhancement
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：270A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：7V, 10V
- Id - Continuous Drain Current：270 A
- Maximum Operating Temperature：+ 175 C
- 厂商：Nexperia USA Inc.
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Package：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Pd - Power Dissipation：341 W
- Power Dissipation (Max)：341W (Ta)
- Product Status：活跃
- Qg - Gate Charge：148 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：2.5 mOhms
- Transistor Polarity：N-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：80 V
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：4 V
- 操作温度：-55°C ~ 175°C (TJ)
- 系列：-
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 通道数量：1 Channel
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.8mOhm @ 25A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：15319 pF @ 40 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：222 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss)：80 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 场效应管特性：-
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