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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / CSD86330Q3D
- 价格 起订量
- ￥ 17.29015 1+
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- ￥ 15.38817 100+
- ￥ 14.51714 500+
- ￥ 13.69541 1000+
- 型号： CSD86330Q3D
- 厂商： Texas Instruments
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-PowerLDFN
- 描述： TEXAS INSTRUMENTS CSD86330Q3D Dual MOSFET, Dual N Channel, 20 A, 25 V, 4.6 ohm, 4.5 V, 1.4 V
- 库存地点： 内地
- 库存： 25000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 17.29015
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerLDFN
- 引脚数：8
- Turn Off Delay Time：15.8 ns
- Usage Level：Military grade
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：NexFET™
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：6W
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 功能数量：1
- 电源电压：12V
- 端子间距：0.65mm
- 基本部件号：CSD86330
- 引脚数量：8
- 电源电压-最大值(Vsup)：22V
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：6W
- 接通延迟时间：5.3 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Half Bridge)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：9.6m Ω @ 14A, 8V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：920pF @ 12.5V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：6.2nC @ 4.5V
- 漏源电压 (Vdss)：25V
- 连续放电电流(ID)：20A
- 阈值电压：1.4V
- 栅极至源极电压(Vgs)：8V
- 输入特性：STANDARD
- 接口IC类型：基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
- 漏源击穿电压：25V
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 高边驱动器：NO
- 栅源电压：1.4 V
- 高度：1.5mm
- 长度：3.3mm
- 宽度：3.3mm
- 器件厚度：1.5mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：含铅
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