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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / TPS1120DR
- 价格 起订量
- ￥ 52.14174 1+
- ￥ 49.19032 10+
- ￥ 46.40596 100+
- ￥ 43.77921 500+
- ￥ 41.30114 1000+
- 型号： TPS1120DR
- 厂商： Texas Instruments
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
- 库存地点： 内地
- 库存： 30000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 52.14174
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 触点镀层：Gold
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：13 ns
- 操作温度：-40°C~150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- JESD-609代码：e4
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED
- 电压 - 额定直流：-15V
- 最大功率耗散：840mW
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：-1.17A
- 基本部件号：TPS1120
- 引脚数量：8
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：840mW
- 接通延迟时间：4.5 ns
- 场效应管类型：2 P-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：180m Ω @ 1.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：5.45nC @ 10V
- 上升时间：10ns
- 下降时间（典型值）：10 ns
- 连续放电电流(ID)：1.17A
- 栅极至源极电压(Vgs)：2V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.4Ohm
- 漏源击穿电压：15V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 高度：1.75mm
- 长度：4.9mm
- 宽度：3.91mm
- 器件厚度：1.58mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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