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单相BJT晶体管 / MJD42CQ-13
- 价格 起订量
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- ￥ 0 1000+
- 型号： MJD42CQ-13
- 厂商： DIODES(美台)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
- 库存地点： 内地
- 库存： 975
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 供应商器件包装：TO-252, (D-Pak)
- Base Product Number：MJD42
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：100 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：7 V
- Current-Collector (Ic) (Max)：6 A
- DC Collector/Base Gain hfe Min：15
- Emitter- Base Voltage VEBO：7 V
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- 厂商：Diodes Incorporated
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Mounting Styles：通孔
- Package：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Pd - Power Dissipation：2.7 W
- Product Status：活跃
- Transistor Polarity：NPN
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 技术：Si
- 配置：Single
- 功率 - 最大：1.5 W
- 晶体管类型：PNP
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：30 @ 300mA, 4V
- 最大集极截止电流：1µA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1.5V @ 600mA, 6A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V
- 频率转换：3MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：120 V
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