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单相BJT晶体管 / BUL49DFP
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: BUL49DFP
- 厂商: TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别: 单相BJT晶体管
- 封装: TO-220-3 Full Pack
- 描述: Bipolar Transistors - BJT PWR BIP/S.SIGNAL
- 库存地点: 内地
- 库存: 337
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架:通孔
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-220-3 Full Pack
- 引脚数:3
- 晶体管元件材料:SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:450V
- Number of Elements:1
- hFEMin:10
- 操作温度:150°C TJ
- 包装:Tube
- JESD-609代码:e3
- 无铅代码:yes
- 零件状态:Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:3
- 端子表面处理:Matte Tin (Sn) - annealed
- 最大功率耗散:80W
- 基本部件号:BUL49
- 引脚数量:3
- 元素配置:Single
- 箱体转运:ISOLATED
- 功率 - 最大:34W
- 晶体管应用:SWITCHING
- 极性/通道类型:NPN
- 晶体管类型:NPN
- 集电极发射器电压(VCEO):450V
- 最大集电极电流:5A
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:4 @ 7A 10V
- 最大集极截止电流:100μA
- JEDEC-95代码:TO-220AB
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):1.2V @ 800mA, 4A
- 发射极基极电压 (VEBO):10V
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
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