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单相BJT晶体管 / BULB39D-1
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
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- ￥ 0 1000+
- 型号： BULB39D-1
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： TRANS NPN 450V 4A D2PAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 195950
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 供应商器件包装：D2PAK
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：450V
- Current-Collector (Ic) (Max)：4A
- Power Dissipation (Max)：70W
- Number of Elements：1
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tube
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-65°C
- 基本部件号：BULB39
- 极性：NPN
- 元素配置：Single
- 功率耗散：70W
- 功率 - 最大：70W
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：450V
- 最大集电极电流：4A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：10 @ 10mA 5V
- 最大集极截止电流：100μA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1.1V @ 500mA, 2.5A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：450V
- 集电极基极电压(VCBO)：800V
- 发射极基极电压 (VEBO)：9V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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