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单相BJT晶体管 / MMBT5210
- 价格 起订量
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- 型号： MMBT5210
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 90000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
- 工厂交货时间：7 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 质量：30mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Number of Elements：1
- hFEMin：200
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2002
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：50V
- 最大功率耗散：350mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：500mA
- 频率：30MHz
- 基本部件号：MMBT5210
- 元素配置：Single
- 功率耗散：350mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 增益带宽积：30MHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：50V
- 最大集电极电流：100mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：200 @ 100μA 5V
- 最大集极截止电流：50nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：700mV @ 1mA, 10mA
- 转换频率：30MHz
- 最大击穿电压：50V
- 集电极基极电压(VCBO)：50V
- 发射极基极电压 (VEBO)：4.5V
- 高度：930μm
- 长度：2.9mm
- 宽度：1.3mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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