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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / 2N2369A
- 价格 起订量
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- 型号： 2N2369A
- 厂商： MICROSS/On Semiconductor
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-18-3
- 描述： DIE TRANS NPN MED PWR HS SWITCH
- 库存地点： 内地
- 库存： 153
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 触点镀层：Lead, Tin
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-18-3
- 引脚数：3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：15V
- Power Dissipation (Max)：360mW
- Number of Elements：1
- 包装：Tray
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：no
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：锡铅
- 最高工作温度：200°C
- 最小工作温度：-65°C
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：WIRE
- 极性：NPN
- 配置：SINGLE
- 功率耗散：360mW
- 箱体转运：COLLECTOR
- 晶体管应用：SWITCHING
- 集电极发射器电压(VCEO)：15V
- 最大集电极电流：400nA
- JEDEC-95代码：TO-206AA
- 转换频率：500MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：40V
- 发射极基极电压 (VEBO)：4.5V
- 最小直流增益（hFE）：20
- VCEsat-最大值：0.45 V
- 集电极-基极电容-最大值：4pF
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：含铅
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