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单相BJT晶体管 / CJD32C TR13
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: CJD32C TR13
- 厂商: Central Semiconductor Corp
- 类别: 单相BJT晶体管
- 封装: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述: TRANS PNP 100V 3A DPAK
- 库存地点: 内地
- 库存: 28477
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:14 Weeks
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 表面安装:YES
- 晶体管元件材料:SILICON
- Current-Collector (Ic) (Max):3A
- Number of Elements:1
- 操作温度:-65°C~150°C TJ
- 包装:Cut Tape (CT)
- 已出版:2015
- JESD-609代码:e3
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:2
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Matte Tin (Sn)
- HTS代码:8541.29.00.95
- 端子位置:SINGLE
- 终端形式:鸥翼
- 峰值回流焊温度(摄氏度):260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):10
- JESD-30代码:R-PSSO-G2
- 资历状况:不合格
- 配置:SINGLE
- 箱体转运:COLLECTOR
- 功率 - 最大:1.56W
- 晶体管应用:SWITCHING
- 极性/通道类型:PNP
- 晶体管类型:PNP
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:10 @ 3A 4V
- 最大集极截止电流:50μA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):1.2V @ 375mA, 3A
- 电压 - 集射极击穿(最大值):100V
- 转换频率:3MHz
- 频率转换:3MHz
- 最大耗散功率(Abs):15W
- VCEsat-最大值:1.2 V
- 环境耗散-最大值:15W
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
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