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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / 2N6284
- 价格 起订量
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- 型号： 2N6284
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-204AA, TO-3
- 描述： TRANS NPN DARL 100V 20A TO-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 21368
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 触点镀层：Tin
- 底架：Chassis Mount, Through Hole
- 安装类型：底座安装
- 包装/外壳：TO-204AA, TO-3
- 引脚数：3
- 质量：6.40101g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2V
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- 操作温度：200°C TJ
- 包装：Tube
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 电压 - 额定直流：100V
- 最大功率耗散：160W
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：PIN/PEG
- 额定电流：20A
- 基本部件号：2N62
- JESD-30代码：O-MBFM-P2
- 极性：NPN
- 元素配置：Single
- 功率耗散：160W
- 箱体转运：COLLECTOR
- 晶体管应用：SWITCHING
- 晶体管类型：NPN - Darlington
- 集电极发射器电压(VCEO)：100V
- 最大集电极电流：20A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：750 @ 10A 3V
- 最大集极截止电流：1mA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：3V @ 200mA, 20A
- 转换频率：4MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：100V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- VCEsat-最大值：3 V
- 集电极-基极电容-最大值：400pF
- 高度：8.7mm
- 长度：39.5mm
- 宽度：26.2mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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