简体中文
图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / CPH3216-TL-E
- 价格 起订量
- ￥ 3.81893 1+
- ￥ 3.60276 10+
- ￥ 3.39883 100+
- ￥ 3.20644 500+
- ￥ 3.02495 1000+
- 型号： CPH3216-TL-E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： Bipolar Transistor, (-)50V, (-)1A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single CPH3
- 库存地点： 内地
- 库存： 12980
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.81893
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间：10 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 表面安装：YES
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：130mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：200
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：900mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：420MHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：50V
- 最大集电极电流：1A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：200 @ 100mA 2V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：190mV @ 10mA, 500mA
- 最高频率：1MHz
- 转换频率：420MHz
- 最大击穿电压：50V
- 集电极基极电压(VCBO)：80V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 高度：900μm
- 长度：2.9mm
- 宽度：1.6mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
CPH3216-TL-E ON Semiconductor
RN1425TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5865TLR ROHM Semiconductor- RN1423TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage
