图片经供参考,以实物为准

单MOSFET晶体管 / TIP137
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: TIP137
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: TO-220-3
- 描述: Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
- 库存地点: 内地
- 库存: 100000
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:Obsolete (Last Updated: 2 years ago)
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-220-3
- 引脚数:3
- 供应商器件包装:TO-220AB
- Current-Collector (Ic) (Max):8 A
- hFEMin:500
- Manufacturer Lifecycle Status:OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)
- 厂商:onsemi
- Package:Tube
- Product Status:Obsolete
- RoHS:Compliant
- Voltage Rating (DC):-100 V
- 操作温度:150°C (TJ)
- 系列:-
- 最高工作温度:150 °C
- 最小工作温度:-65 °C
- 额定电流:-8 A
- 极性:PNP
- 元素配置:Single
- 功率耗散:70 W
- 功率 - 最大:2 W
- 晶体管类型:PNP - Darlington
- 集电极发射器电压(VCEO):100 V
- 最大集电极电流:8 A
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:1000 @ 4A, 4V
- 最大集极截止电流:500µA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):4V @ 30mA, 6A
- 电压 - 集射极击穿(最大值):100 V
- 频率转换:-
- 集电极基极电压(VCBO):100 V
- 发射极基极电压 (VEBO):5 V
- 连续集电极电流:8 A
- 达到SVHC:无SVHC
- 无铅:无铅
相关产品

