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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / BD139
- 价格 起订量
- ￥ 3.63287 1+
- ￥ 3.42724 10+
- ￥ 3.23324 100+
- ￥ 3.05023 500+
- ￥ 2.87757 1000+
- 型号： BD139
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-225AA, TO-126-3
- 描述： TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32
- 库存地点： 内地
- 库存： 600
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.63287
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-225AA, TO-126-3
- 触点镀层：Tin
- 底架：通孔
- 引脚数：3
- 质量：90.718474mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- 制造商包装标识符：SOT-32-0016114E
- Number of Elements：1
- hFEMin：40
- Collector-Emitter Saturation Voltage：500mV
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tube
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电压 - 额定直流：80V
- 最大功率耗散：1.25W
- 额定电流：1.5A
- 基本部件号：BD139
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 功率耗散：1.25W
- 箱体转运：ISOLATED
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：80V
- 最大集电极电流：1.5A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：40 @ 150mA 2V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：500mV @ 50mA, 500mA
- 转换频率：250MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：80V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 宽度：2.9mm
- 长度：7.8mm
- 高度：13.2mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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