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BJT 晶体管阵列 / BC856BS-QX
- 价格 起订量
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- 型号： BC856BS-QX
- 厂商： Nexperia(安世)
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 描述： BC856BS-Q/SOT363/SC-88
- 库存地点： 内地
- 库存： 6000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 供应商器件包装：6-TSSOP
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：65 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：300 mV
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA
- Emitter- Base Voltage VEBO：6 V
- Gain Bandwidth Product fT：100 MHz
- Maximum DC Collector Current：200 mA
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- 厂商：Nexperia USA Inc.
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Package：Tape & Reel (TR)
- Pd - Power Dissipation：200 mW
- Product Status：活跃
- Transistor Polarity：PNP
- 操作温度：150°C (TJ)
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 技术：Si
- 配置：Dual
- 功率 - 最大：200mW
- 晶体管类型：2 PNP
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：200 @ 2mA, 5V
- 最大集极截止电流：15nA (ICBO)
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：300mV @ 5mA, 100mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：65V
- 频率转换：100MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：80 V
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