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BJT 晶体管阵列 - 预偏置 / EMF5XV6T1G
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
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- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： EMF5XV6T1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： BJT 晶体管阵列 - 预偏置
- 封装： SOT-563, SOT-666
- 描述： TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT563
- 库存地点： 内地
- 库存： 36
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-563, SOT-666
- 供应商器件包装：SOT-563
- Base Product Number：EMF5XV
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA, 500mA
- 厂商：onsemi
- Package：Tape & Reel (TR)
- Product Status：活跃
- 系列：EMF
- 功率 - 最大：357mW
- 晶体管类型：1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V
- 最大集极截止电流：500nA, 100nA (ICBO)
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：50V, 12V
- 频率转换：-
- 电阻基(R1)：47kOhms
- 电阻-发射极基极(R2)：-
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