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BJT 晶体管阵列 / MCH6536-TL-E

  • 价格 起订量
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  • 型号: MCH6536-TL-E
  • 厂商: onsemi(安森美)
  • 类别: BJT 晶体管阵列
  • 封装: 6-SMD, Flat Leads
  • 描述: Trans GP BJT NPN/PNP 15V/12V 0.7A/0.5A 6-Pin MCPH T/R
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 5447
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装/外壳:6-SMD, Flat Leads
  • 表面安装:YES
  • 引脚数:6
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage:12V
  • Current-Collector (Ic) (Max):700mA 500mA
  • Number of Elements:2
  • hFEMin:300
  • 操作温度:150°C TJ
  • 包装:Tape & Reel (TR)
  • 已出版:2012
  • JESD-609代码:e6
  • 无铅代码:yes
  • 零件状态:Obsolete
  • 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
  • 终止次数:6
  • ECCN 代码:EAR99
  • 端子表面处理:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
  • 最大功率耗散:550mW
  • 端子位置:DUAL
  • 引脚数量:6
  • 极性:NPN, PNP
  • 配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
  • 晶体管应用:SWITCHING
  • 晶体管类型:NPN, PNP
  • 集电极发射器电压(VCEO):300mV
  • 最大集电极电流:500mA
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:300 @ 10mA 2V
  • 最大集极截止电流:100nA ICBO
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):300mV @ 10mA, 200mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):15V 12V
  • 转换频率:330MHz
  • 频率转换:330MHz 490MHz
  • 辐射硬化:无
  • RoHS状态:符合RoHS标准
  • 无铅:无铅

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