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BJT 晶体管阵列 / CPH5518-TL-E

  • 价格 起订量
  • ¥ 5.96398 1+
  • ¥ 5.62640 10+
  • ¥ 5.30792 100+
  • ¥ 5.00747 500+
  • ¥ 4.72403 1000+
  • 型号: CPH5518-TL-E
  • 厂商: onsemi(安森美)
  • 类别: BJT 晶体管阵列
  • 封装: SC-74A, SOT-753
  • 描述: TRANS NPN/PNP 80V/50V 1A 5CPH
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 5000
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 5.96398

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 生命周期状态:ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
  • 工厂交货时间:2 Weeks
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装/外壳:SC-74A, SOT-753
  • 表面安装:YES
  • 引脚数:5
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage:50V
  • hFEMin:200
  • 操作温度:150°C TJ
  • 包装:Tape & Reel (TR)
  • 已出版:2012
  • JESD-609代码:e6
  • 无铅代码:yes
  • 零件状态:活跃
  • 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
  • ECCN 代码:EAR99
  • 端子表面处理:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
  • 最大功率耗散:1.2W
  • 引脚数量:5
  • 极性:NPN, PNP
  • 功率 - 最大:1.2W
  • 晶体管类型:NPN, PNP (Emitter Coupled)
  • 集电极发射器电压(VCEO):50V
  • 最大集电极电流:1A
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:200 @ 100mA 2V
  • 最大集极截止电流:100nA ICBO
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):190mV @ 10mA, 500mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 50V
  • 频率转换:420MHz
  • 发射极基极电压 (VEBO):5V
  • RoHS状态:ROHS3 Compliant
  • 无铅:无铅

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