简体中文
图片经供参考，以实物为准
RF BJT 晶体管 / BFP540FESDH6327XTSA1
- 价格 起订量
- ￥ 4.22218 1+
- ￥ 3.98319 10+
- ￥ 3.75772 100+
- ￥ 3.54502 500+
- ￥ 3.34436 1000+
- 型号： BFP540FESDH6327XTSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装： 4-SMD, Flat Leads
- 描述： Trans GP BJT NPN 4.5V 0.08A 4-Pin TSFP T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 3162
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.22218
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：4-SMD, Flat Leads
- 引脚数：4
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：5V
- Number of Elements：1
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2005
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：4
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：250mW
- 端子位置：DUAL
- 频率：30GHz
- 基本部件号：BFP540
- 配置：SINGLE
- 功率耗散：250mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 无卤素：无卤素
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：4.5V
- 最大集电极电流：80mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：50 @ 20mA 3.5V
- 增益：20dB
- 转换频率：30000MHz
- 最大击穿电压：5V
- 集电极基极电压(VCBO)：10V
- 发射极基极电压 (VEBO)：1V
- 集电极-基极电容-最大值：0.26pF
- 噪音数字(分贝类型@ f)：0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
