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RF MOSFETs 晶体管 / PD57045S
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
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- ¥ 0 1000+
- 型号: PD57045S
- 厂商: TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别: RF MOSFETs 晶体管
- 封装: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- 描述: RF MOSFET Transistors N-Ch 65 Volt 5 Amp
- 库存地点: 内地
- 库存: 326
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架:表面贴装
- 包装/外壳:PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- 引脚数:4
- Number of Elements:1
- 包装:Tube
- JESD-609代码:e0
- 无铅代码:no
- 零件状态:Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL):3 (168 Hours)
- 终止次数:2
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Tin/Lead (Sn/Pb)
- 最高工作温度:150°C
- 最小工作温度:-65°C
- 附加功能:HIGH RELIABILITY
- 最大功率耗散:73W
- 端子位置:DUAL
- 终端形式:FLAT
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- Reach合规守则:not_compliant
- 额定电流:5A
- 频率:945MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):未说明
- 基本部件号:PD57045
- 引脚数量:2
- JESD-30代码:R-PDSO-F2
- 资历状况:不合格
- 元素配置:Single
- 操作模式:增强型MOSFET
- 功率耗散:73W
- 箱体转运:SOURCE
- 测试电流:250mA
- 晶体管应用:AMPLIFIER
- 漏源电压 (Vdss):65V
- 极性/通道类型:N-CHANNEL
- 晶体管类型:LDMOS
- 连续放电电流(ID):5A
- 栅极至源极电压(Vgs):20V
- 增益:14.5dB
- 最大漏极电流 (Abs) (ID):5A
- 漏源击穿电压:65V
- 功率 - 输出:45W
- 场效应管技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 电压-测试:28V
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
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