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图片经供参考，以实物为准
RF MOSFETs 晶体管 / LET9060STR
- 价格 起订量
- ￥ 305.30493 1+
- ￥ 288.02352 10+
- ￥ 271.72030 100+
- ￥ 256.33991 500+
- ￥ 241.83010 1000+
- 型号： LET9060STR
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： RF MOSFETs 晶体管
- 封装： PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
- 描述： RF FET LDMOS 80V POWERSO-10RF
- 库存地点： 内地
- 库存： 565
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 305.30493
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：52 Weeks
- 包装/外壳：PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
- 表面安装：YES
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：1
- Operating Temperature (Max.)：165°C
- Voltage Rated：80V
- 包装：Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn) - annealed
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：250
- Reach合规守则：not_compliant
- 额定电流：12A
- 频率：960MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 基本部件号：LET9060
- 引脚数量：10
- JESD-30代码：R-PDSO-F2
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：SOURCE
- 测试电流：300mA
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 晶体管类型：LDMOS
- 增益：17.2dB
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：7A
- DS 击穿电压-最小值：80V
- 功率 - 输出：60W
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：170W
- 电压-测试：28V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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