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RF BJT 晶体管 / SD1477
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
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- ￥ 0 1000+
- 型号： SD1477
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装： M111
- 描述： RF Bipolar Transistors NPN 12.5V 175MHz
- 库存地点： 内地
- 库存： 200
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：Screw, Surface Mount
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：M111
- 引脚数：111
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：18V
- Number of Elements：1
- hFEMin：10
- 操作温度：200°C TJ
- 包装：Tray
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：扩散型发射极镇流器电阻器
- 电压 - 额定直流：18V
- 最大功率耗散：270W
- 端子位置：UNSPECIFIED
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 额定电流：20A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：SD1477
- 引脚数量：6
- JESD-30代码：O-PXFM-F6
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE
- 功率耗散：270W
- 箱体转运：EMITTER
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：18V
- 最大集电极电流：20A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：10 @ 5A 5V
- 增益：6dB
- 集电极基极电压(VCBO)：36V
- 发射极基极电压 (VEBO)：4V
- 连续集电极电流：20A
- 最高频段：极高频率 b
- 高度：7.11mm
- 长度：24.89mm
- 宽度：21.97mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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