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RF BJT 晶体管 / SD1433
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: SD1433
- 厂商: TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别: RF BJT 晶体管
- 封装: M122
- 描述: RF Bipolar Transistors NPN 12.5V 470MHz
- 库存地点: 内地
- 库存: 暂无库存
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架:Chassis, Stud
- 安装类型:Chassis, Stud Mount
- 包装/外壳:M122
- 引脚数:122
- 晶体管元件材料:SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:16V
- Number of Elements:1
- hFEMin:10
- 操作温度:200°C TJ
- 包装:Bulk
- JESD-609代码:e4
- 零件状态:Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:4
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Gold (Au)
- 电压 - 额定直流:16V
- 最大功率耗散:58W
- 端子位置:RADIAL
- 终端形式:FLAT
- 峰值回流焊温度(摄氏度):260
- 额定电流:2.5A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):未说明
- 基本部件号:SD1433
- 引脚数量:4
- JESD-30代码:O-PRPM-F4
- 资历状况:不合格
- 配置:SINGLE
- 晶体管应用:AMPLIFIER
- 极性/通道类型:NPN
- 晶体管类型:NPN
- 集电极发射器电压(VCEO):16V
- 最大集电极电流:2.5A
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:10 @ 1A 5V
- 增益:7dB
- 集电极基极电压(VCBO):36V
- 发射极基极电压 (VEBO):4V
- 连续集电极电流:2.5A
- 最高频段:超高频B型
- 高度:16.26mm
- 长度:6.99mm
- 宽度:6.99mm
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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