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RF BJT 晶体管 / BFU725F,115
- 价格 起订量
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- 型号： BFU725F,115
- 厂商： NXP USA Inc.
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装： SOT-343F
- 描述： RF Bipolar Transistors RF NPN Transistor
- 库存地点： 内地
- 库存： 665
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-343F
- 表面安装：YES
- 晶体管元件材料：硅锗
- Current-Collector (Ic) (Max)：40mA
- Number of Elements：1
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2002
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：4
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：低噪音
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：BFU725
- 引脚数量：4
- JESD-30代码：R-PDSO-F4
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE
- 箱体转运：EMITTER
- 功率 - 最大：136mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：300 @ 10mA 2V
- 增益：10dB ~ 24dB
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：2.8V
- 转换频率：70000MHz
- 频率转换：70GHz
- 最大耗散功率(Abs)：0.136W
- 源Url状态检查日期：2013-06-14 00:00:00
- 最高频段：C B
- 噪音数字(分贝类型@ f)：0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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