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图片经供参考，以实物为准
IGBT晶体管模块 / A2C35S12M3
- 价格 起订量
- ￥ 353.83589 1+
- ￥ 333.80744 10+
- ￥ 314.91268 100+
- ￥ 297.08744 500+
- ￥ 280.27117 1000+
- 型号： A2C35S12M3
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： IGBT晶体管模块
- 封装： Module
- 描述： IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK2
- 库存地点： 内地
- 库存： 612
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 353.83589
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 安装类型：底座安装
- 包装/外壳：Module
- 表面安装：NO
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current-Collector (Ic) (Max)：35A
- Number of Elements：6
- 操作温度：-40°C~150°C TJ
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：35
- 端子位置：UPPER
- 终端形式：UNSPECIFIED
- 基本部件号：A2C35S12
- JESD-30代码：R-XUFM-X35
- 配置：带制动器的三相逆变器
- 功率 - 最大：250W
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 输入：三相桥式整流器
- 最大集极截止电流：100μA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
- 最大耗散功率(Abs)：250W
- 接通时间：170 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.45V @ 15V, 35A
- 关断时间-标准值（toff)：364 ns
- IGBT类型：沟渠现场停车
- NTC热敏电阻：有
- 栅极-发射极电压-最大值：20V
- 输入电容(Cies)@Vce：2154pF @ 25V
- VCEsat-最大值：2.45 V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：7V
- RoHS状态：Non-RoHS Compliant
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