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IGBT晶体管模块 / APTGT75DA170D1G
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- 型号： APTGT75DA170D1G
- 厂商： Microsemi Corporation
- 类别： IGBT晶体管模块
- 封装： D1
- 描述： Trans IGBT Module N-CH 1.7KV 130A 5-Pin Case D1
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：Chassis Mount, Screw
- 安装类型：底座安装
- 包装/外壳：D1
- 引脚数：5
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.7kV
- Number of Elements：1
- 包装：Bulk
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-40°C
- 最大功率耗散：520W
- 端子位置：UPPER
- 终端形式：UNSPECIFIED
- 引脚数量：7
- 配置：Single
- 箱体转运：ISOLATED
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 输入：Standard
- 集电极发射器电压(VCEO)：1.7kV
- 最大集电极电流：120A
- 最大集极截止电流：5mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1700V
- 输入电容：6.5nF
- 接通时间：400 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V, 75A
- 关断时间-标准值（toff)：1200 ns
- IGBT类型：沟渠现场停车
- NTC热敏电阻：无
- 输入电容(Cies)@Vce：6.5nF @ 25V
- RoHS状态：符合RoHS标准
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