简体中文
图片经供参考，以实物为准
IGBT晶体管模块 / FPF2C8P2NL07A
- 价格 起订量
- ￥ 401.78204 1+
- ￥ 379.03966 10+
- ￥ 357.58458 100+
- ￥ 337.34395 500+
- ￥ 318.24901 1000+
- 型号： FPF2C8P2NL07A
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： IGBT晶体管模块
- 封装： F2 Module
- 描述： IGBT MODULE 650V 30A 135W F2
- 库存地点： 内地
- 库存： 40
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 401.78204
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：底座安装
- 包装/外壳：F2 Module
- 质量：45g
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：650V
- 操作温度：-40°C~150°C TJ
- 已出版：2014
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- HTS代码：8542.39.00.01
- 最大功率耗散：135W
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 配置：三相
- 功率 - 最大：135W
- 输入：Standard
- 集电极发射器电压(VCEO)：2.2V
- 最大集电极电流：30A
- 最大集极截止电流：250μA
- 隔离电压：2.5kV
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V, 30A
- IGBT类型：场站
- NTC热敏电阻：有
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
相关产品
