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MOSFETs 晶体管阵列 / G1K2C10S2

  • 价格 起订量
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  • 型号: G1K2C10S2
  • 厂商: GOFORD(谷峰)
  • 类别: MOSFETs 晶体管阵列
  • 封装: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
  • 描述: NP100V, 3A,RD<130M@10V,RD<200M@-
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 3244
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装/外壳:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
  • 供应商器件包装:8-SOP
  • Package:Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:3A (Tc), 3.5A (Tc)
  • 厂商:Goford Semiconductor
  • Product Status:活跃
  • 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 系列:-
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 配置:-
  • 功率 - 最大:2W (Tc), 3.1W (Tc)
  • Rds On(Max)@Id,Vgs:130mOhm @ 5A, 10V, 200mOhm @ 3A, 10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:668pF @ 50V, 1732pF @ 50V
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:22nC @ 10V, 23nC @ 10V
  • 漏源电压 (Vdss):100V
  • 场效应管特性:Standard