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MOSFETs 晶体管阵列 / G1K2C10S2
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: G1K2C10S2
- 厂商: GOFORD(谷峰)
- 类别: MOSFETs 晶体管阵列
- 封装: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述: NP100V, 3A,RD<130M@10V,RD<200M@-
- 库存地点: 内地
- 库存: 3244
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 供应商器件包装:8-SOP
- Package:Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:3A (Tc), 3.5A (Tc)
- 厂商:Goford Semiconductor
- Product Status:活跃
- 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列:-
- 技术:MOSFET (Metal Oxide)
- 配置:-
- 功率 - 最大:2W (Tc), 3.1W (Tc)
- Rds On(Max)@Id,Vgs:130mOhm @ 5A, 10V, 200mOhm @ 3A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:668pF @ 50V, 1732pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:22nC @ 10V, 23nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss):100V
- 场效应管特性:Standard
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